ARM与台积电携手完成16nm FinFET工艺测试 年内客户或超20家

栏目:民族宗教 来源:未知 编辑:admin 时间:2019-02-21 06:17

对于英特尔来说,要想在移动芯片市场多分得一杯羹,就需要借助其越发先进的制造能力的优势。现在日宣布的新款AtomSoCs——举例来说——即基于22nm的3D或“三栅极晶体管”工艺。与传统的(基于平面晶体管结构的)芯片相比,新架构使得芯片可以在较低的电压水平上

  对于英特尔来说,要想在移动芯片市场多分得一杯羹,就需要借助其越发先进的制造能力的优势。现在日宣布的新款Atom SoCs——举例来说——即基于22nm的3D或“三栅极晶体管”工艺。与传统的(基于平面晶体管结构的)芯片相比,新架构使得芯片可以在较低的电压水平上,更有用率地运作——在降低能耗的同时,更能延伸系统的续航时间。

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  至于半导体行业中的其它公司,已经在向3D晶体管工艺(更常用的称谓为“FinFETs”)迁徙的历程中,落伍于英特尔。

  若是没有这种新的结构,那么向28nm以下制程迁徙的历程就会变缓。其中一部门缘故原由为,随着平面型晶体管(planar transistor)变得更小,其能源效率和成本就变得不那么有吸引力。

  幸运的是,貌似领先的芯片代工厂——台积电(TSMC)——已经在部署16nm FinFETs的工艺上,取得了不错的希望。

  今天,TSMC与ARM披露了两家公司已经在去年年底举行了一个相当庞大的测试芯片,而且是基于台积电的16nm FinFET工艺打造的!

  该芯片包罗了双核Cortex-A57和四核Cortex-A53 CPU焦点——基于相似的big.LITTLE差池称方案——主要面向消耗级SoC。这一生长也将助力ARM和TSMC开发出SoC设计的新门路。

  ARM的通告称,TSMC的16nm FinFET工艺,有着激感人心的利益:“在相同的总能耗下,芯片设计的速率可以快上>40%,或者比28nm制程节约>55%的总能耗”。

  这一通告与英特尔的“22nm三栅极制程比之32nm工艺的优势”如出一辙。台积电预计,在2014年的时间,接纳其16nm FinFET工艺的客户将有望凌驾20家。
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